Anwendungen von Borcarbid (B₄C) in der Halbleiterindustrie
1. Hochpräzisions-Läpp- und Polier-Schleifpulver
- Läppsuspension zum Schneiden, Ausdünnen der Rückseite und Feinpolieren von monokristallinen Siliziumwafern; geringe Beschädigung der Oberfläche, hohe Abtragsrate, frei von Schwermetallverunreinigungen.
- Poliermittel für SiC/GaN-Leistungshalbleitersubstrate (IGBT, MOSFET, HF-Chips), ideal für die harte Planarisierung von Kristallen mit großer Bandlücke.
- CMP-Schleifmittel für bordotiertes Polysilizium-Hartmaskenmaterial in der modernen DRAM-Fertigung, das eine hohe Selektivität gegenüber Oxid-/Nitrid-Stoppschichten bietet.
- Läpppaste, Diamantscheibenabrichter, freies Schleifmittel zum Scheibenschneiden.
2. Feste Borquelle für die Ionenimplantation
Hochreines B₄C dient als feste Borquelle für Ionenimplantationsanlagen zur Erzeugung von B⁺-Ionen für die p-Dotierung von Siliziumwafern, die für Transistoren, Speicher- und Logikchips unerlässlich ist. Es ist hochtemperaturstabil und gewährleistet eine gleichbleibende Dotierungsdosis.
3. Gesinterte Borcarbid-Keramikkomponenten für Ätz- und Beschichtungsanlagen
Hervorragende Beständigkeit gegen Fluor-/Chlor-Plasmaerosion, geringe Partikelbildung, lange Lebensdauer:
- Fokusringe für ICP/RIE-Trockenätzgeräte
- Duschköpfe / Gasverteilerplatten für PECVD-Kammern
- Kammerauskleidungen, Wärmedämmhülsen, elektrostatische Spannfutter
- Mikrowellen-/IR-Fenster, Hochtemperatur-Waferträger, DC-Isolierstecker
4. Hochreine B₄C-Sputtertargets
Für PVD-Beschichtungen: plasmabeständige Hartmasken-Dünnschichten, Strahlungsschutzbeschichtungen, verschleißfeste Schutzschichten auf Waferhalterungen.
5. Spezielle elektronische Komponenten und Strahlungsdetektionskomponenten
- Hochtemperatur-Halbleiterbauelemente mit großer Bandlücke, die bei Temperaturen über 2000°C betrieben werden.
- B₄C-Graphit-Thermoelemente (max. 2300°C) für Wafer-Glüh- und Epitaxieöfen.
- Festkörper-Neutronendetektorchips für die Zuverlässigkeitsprüfung von Halbleiterstrahlung.
- Neutronenschutzauskleidungen für Ionenimplantations- und Chipbestrahlungslabore.