Wird die Leitfähigkeit von Silizium durch Dotierung mit Borcarbid erhöht?

Wird die Leitfähigkeit von mit Borcarbid dotiertem Silizium zunehmen? Mit
Borcarbid dotiertes Silizium wird zunehmen. Borcarbid ist ein vielseitig einsetzbares Halbleitermaterial mit hohem Widerstand und ausgezeichneter thermischer Stabilität. Es ist eines der idealen Materialien zur Herstellung von Hochtemperaturtransistoren, integrierten Schaltkreisen und Solarzellen. Boriertes Bor-Silizium kann Siliziumkarbid-Verbundwerkstoffe bilden. Dieses Material hat eine hohe elektrische Leistung und eine gute Hochtemperaturstabilität. Unter Hochtemperaturbedingungen können Siliziumkarbid-Verbundwerkstoffe eine hohe Lastmigration und Leitfähigkeit aufrechterhalten und so die Leitfähigkeit von Silizium verbessern. Daher kann eine Dotierung mit Borcarbid die elektrische Leistung von Silizium verbessern.